Vishay P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 12 V / 5.1 A 1250 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 710-3260
Herst. Teile-Nr.:: SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 12 V / 5.1 A 1250 mW, 3-Pin SOT-23

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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.: 787-9222

RS Best.-Nr.:: 710-3260
Herst. Teile-Nr.:: SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5.1A

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	5.1 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	35 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	1250 mW
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	3.04mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 4,5 V, 9 nC @ 2,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.4mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.02mm

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 12 V / 5.1 A 1250 mW, 3-Pin SOT-23

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Alternative

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

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