Toshiba U-MOSⅣ P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 30 V / 4,5 A 2,2 W, 6-Pin VS

RS Best.-Nr.:: 415-336
Herst. Teile-Nr.:: TPC6108(TE85L,F)
Hersteller:: Toshiba

Toshiba U-MOSⅣ P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 30 V / 4,5 A 2,2 W, 6-Pin VS

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RS Best.-Nr.:: 415-336
Herst. Teile-Nr.:: TPC6108(TE85L,F)
Hersteller:: Toshiba

TPC6108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅣ) Data Sheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4,5 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	VS
Serie	U-MOSⅣ
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Verlustleistung max.	2,2 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	1.6mm
Länge	2.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	0.7mm

Toshiba U-MOSⅣ P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 30 V / 4,5 A 2,2 W, 6-Pin VS

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MOSFET-P-Kanal, TPC-Serie, Toshiba

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