Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 4.8 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
256-7309
Herst. Teile-Nr.:
IRFR220PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFR220 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 4,8 A – IRFR220PBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein SMD-Schaltgerät mit N-Kanal, das für Hochspannungs-Leistungssteuerungsaufgaben in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine hohe Drain-Source-Spannungstoleranz erfordern. Die Komponente wird in einem kompakten TO-252-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Leiterplattenmontage geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Drain-Source-Spannung von 200 V bietet Hochspannungsschaltfähigkeit • 4,8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 0,8 Ω Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste unter Last • Maximale Verlustleistung von 42 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • 14 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelleres Gate-Drive-Schalten • Die maximale Betriebstemperatur von ±150 °C erweitert die thermische Spanne

Anwendungen


• Geeignet für industrielle Motorsteuerungs-Treiberstufen • Ideal für Hochspannungs-DC-DC-Wandler • Wird für die Leistungsschaltung in Automatisierungsantrieben verwendet • Kann zum Schalten von Lasten in elektrischen Prüfgeräten verwendet werden

Welche Gate-Antriebsbeschränkungen sollte ich für eine zuverlässige Schaltung beachten?


Halten Sie die Gate-Source-Spannung innerhalb von ±20 V und entwerfen Sie Gate-Treiber, um das Gate mit ca. 14 nC zu laden, um die Schaltgeschwindigkeitserwartungen zu erfüllen und gleichzeitig Überlastungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Wahl des Leiterplattenlayouts aus?


Mit einer Ableitungsgrenze von 42 W verwenden Sie eine ausreichende Kupferfläche, Wärmeleitwege und Wärmeableitungsstrategien auf der Leiterplatte, um die Wärme von der TO-252-Fahne zu verteilen und die Temperatur der Geräteverbindung innerhalb der Nenngrenzen zu halten.

Welche Umweltgrenzwerte sind für den langfristigen Betrieb relevant?


Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, sodass die Auswahl der Komponenten und das thermische Design des Systems sicherstellen müssen, dass die Sperrschicht- und Umgebungstemperaturen innerhalb dieses Bereichs bleiben.

Welche Befestigungsaspekte sind für die Zuverlässigkeit erforderlich?


Das Oberflächenmontage-TO-252-Format erfordert eine korrekte Lötfeilenbildung und Reflow-Profile, um die mechanische Befestigung zu sichern und einen geringen Wärmewiderstand auf der Leiterplatte zu gewährleisten.

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