Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 4.8 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
256-7308
Herst. Teile-Nr.:
IRFR220PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Der DPAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphase-, Infrarot- oder Wellenlötetechniken entwickelt. Die gerade Kabelversion ist für die Durchgangsbohrungsmontage vorgesehen. Leistungsverlustwerte von bis zu 1,5 W sind in typischen SMD-Anwendungen möglich.

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Erhältlich als Band und Rolle

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

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