Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Gehäusegröße	PowerDI5060-8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	41mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.73W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Gehäusegröße PowerDI5060-8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.73W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - DMP3011SPSW-13

Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist anwendbar in DC/DC-Wandlern

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, halogen- und antimonfrei

DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8

Verwandte Links