DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 502,50

(ohne MwSt.)

€ 602,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,201€ 502,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
246-6879
Herst. Teile-Nr.:
DMT36M1LPS-13
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.025Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Breite

5.15 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er verfügt über ein ausgezeichnetes Qgd xRDS(ON)-Produkt (FOM) und fortschrittliche Technologie für DC/DC-Umwandlung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 30 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Es nimmt nur 33 % der Platinenfläche ein, die von SO-8 eingenommen wird, um kleinere Endprodukte zu ermöglichen

Verwandte Links