DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 150 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 6,53

(ohne MwSt.)

€ 7,84

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 480 Einheit(en) mit Versand ab 27. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 0,653€ 6,53
50 - 90€ 0,639€ 6,39
100 - 240€ 0,502€ 5,02
250 +€ 0,49€ 4,90

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7550
Herst. Teile-Nr.:
DMT32M5LPS-13
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.003mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Breite

5.15 mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Die Verpackungsgröße von weniger als 1,1 mm macht sie ideal für dünne Anwendungen.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 30 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Wärmeeffizientes Gehäuse, ideal für kühler laufende Anwendungen. Bietet eine niedrige Eingangskapazität

Verwandte Links