DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 22 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 4,25

(ohne MwSt.)

€ 5,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 490 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 0,85€ 4,25
50 - 95€ 0,766€ 3,83
100 - 245€ 0,616€ 3,08
250 - 995€ 0,60€ 3,00
1000 +€ 0,584€ 2,92

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7567
Herst. Teile-Nr.:
DMTH43M8LPSQ-13
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.005mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex ist ein N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI5060-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Sie ist für +175 °C ausgelegt und ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen geeignet. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.

Verwandte Links