ROHM RH6P040BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 104 W HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 252-3154
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6P040BHTB1
- Hersteller:
- ROHM
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€ 2.373,00
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- RS Best.-Nr.:
- 252-3154
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6P040BHTB1
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | RH6P040BH | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb Free | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie RH6P040BH | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb Free | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Rohms bietet eine RH-Serie von Leistungs-Mosfets mit niedrigem Durchlasswiderstand an, die zum Schalten geeignet sind. Das Produkt ist halogenfrei 100 % Rg und UIS-geprüft mit einer Eingangsspannung von 100 V.
Der Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich beträgt -55 °C bis +150 °C
Montiert auf einer cu-Platte
Der Drainstrom beträgt 40 A
Die Verlustleistung beträgt 59 W
