Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Entleerung 650 V / 40 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
252-0263
Herst. Teile-Nr.:
SIHK055N60EF-T1GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK055N60EF-T1GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Automobilanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für den Einsatz auf Oberflächenmontage vorgesehen, wo robuste Schaltvorgänge, hohe Spannungstoleranz und Kfz-Qualifizierung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 40 A Dauerstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,05 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs • Die Verlustleistung von 236 W ermöglicht einen hohen thermischen Durchsatz • 90 nC typische Gate-Ladung reduziert die Schaltenergie pro Übergang • Die AEC-Q101-Qualifizierung erfüllt die Anforderungen an Stress und Zuverlässigkeit in der Automobilindustrie

Anwendungen


• Geeignet für Traktionsumrichterstufen in der Automobilelektronik • Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in der industriellen Automatisierung • Wird für Schaltnetzteile in Stromverteilungssystemen verwendet • Kann für Motorantriebsstufen verwendet werden, die eine hohe Stromkapazität erfordern • Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?


Antriebsstromkreise sollten eine Gate-Exkursion von bis zu ±20 V aufnehmen und genügend Spitzenstrom liefern, um das 90-nC-Gate mit den gewählten Vgs für die definierte Schaltgeschwindigkeit aufzuladen und gleichzeitig Schaltverluste zu bewältigen.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf den Dauerbetrieb aus?


Um die Verlustleistung von 236 W aufrechtzuerhalten, sind thermische Wege wie große Kupferwaagen oder Kühlkörper zum PowerPAK-Substrat erforderlich, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der angegebenen Grenze von +150 °C zu halten.

Welche Montage- und Layout-Praktiken verbessern die Leistung?


Verwenden Sie oberflächenmontierbare Layouts mit niedriger Induktivität mit kurzen, breiten Schienen für Drain und Source und platzieren Sie Gate-Widerstände und Entkopplung in der Nähe der Pins, um Klingeln und elektromagnetische Störungen zu reduzieren.

Welcher Umgebungsbereich kann für den Einsatz vor Ort erwartet werden?


Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C spezifiziert und unterstützt einen breiten Bereich von Umgebungs- und erhöhten Sperrschichtbedingungen in Industrie- und Automobilumgebungen.

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