Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 20.5 A 5.6 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 252-0243
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4151DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 252-0243
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4151DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.01mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. Das Substrat des P-Kanal-MOSFETS enthält Elektronen und Elektronenlöcher. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die am Gate-Anschluss anliegende Spannung niedriger ist als die Ausgangsspannung.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
100 % Rg und UIS getestet