Vishay SISH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 54 A 41.6 W, 8-Pin 1212-8

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RS Best.-Nr.:
279-9981
Herst. Teile-Nr.:
SISH103DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

1212-8

Serie

SISH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0089Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Maximale Verlustleistung Pd

41.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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