Infineon BSD235C Typ N, Typ P-Kanal 2, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 0.5 W, 6-Pin US

RS Best.-Nr.:: 250-0522
Herst. Teile-Nr.:: BSD235CH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon BSD235C Typ N, Typ P-Kanal 2, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 0.5 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:: 250-0522
Herst. Teile-Nr.:: BSD235CH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N, Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	950mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	BSD235C
	Gehäusegröße	US
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	6
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	1.20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	0.5W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N, Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 950mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie BSD235C
	Gehäusegröße US
	Montageart SMD
	Pinanzahl 6
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 1.20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 0.5W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

MOSFET der BSD235C-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 0,95 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSD235CH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein Dual-Enhancement-Modus-Transistor, der für kompakte Anwendungen in Automobilqualität entwickelt wurde. Es integriert sowohl N-Kanal- als auch P-Kanal-Elemente auf einem einzigen Chip in einem 6-poligen SOT-363-Gehäuse und ermöglicht damit Schalt- und Signalausgaben mit geringem Platzbedarf. Das Gerät ist spezifiziert für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und entspricht den Materialbeschränkungen der Umwelt.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ablassquellenspannung von 20 V ermöglicht Niederspannungs-Schaltfunktionen
• 0.95 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromlasten
• Die Gate-Source-Nennleistung von 1,2 V ermöglicht den Betrieb mit Niederspannungs-Gate-Antrieben
• Die Verlustleistung von 0,5 W ermöglicht eine kompakte thermische Budgetsierung
• Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht eine hohe Umgebungstemperatur

Anwendungsbereich

• Geeignet für das Schalten von Lasten in Kraftfahrzeugen bei beengten Platzverhältnissen
• Ideal für komplementäre Push-Pull-Signalstufen
• Wird mit Niederspannungs-Steuerlogik für die Gate-Ansteuerung verwendet
• Kann für redundantes Dual-Element-Strommanagement verwendet werden
• Wird für Kompaktplatinen-Designs verwendet, die RoHS-Konformität erfordern

Wie viele Transistorelemente sind auf dem Chip integriert?

Es enthält zwei Elemente, einen N-Kanal und einen P-Kanal.

Welche Pinanzahl und welches Gehäuse sollte ich im Leiterplatten-Layout planen?

Das Gerät verwendet eine 6-polige SOT-363-Grundfläche für die Oberflächenmontage.

Welchen extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?

Der zulässige Betriebsbereich reicht von -55 °C bis 150 °C.

Ist das Gerät für Materialbeschränkungen geeignet?

Er erfüllt die RoHS-Materialanforderungen und ist entsprechend konzipiert.