Infineon Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) BTN99x0LV Typ P, Typ N-Kanal 2, SMD MOSFET 40 V Doppelt / 115 A, 7-Pin

RS Best.-Nr.:: 249-3346
Herst. Teile-Nr.:: BTN9990LVAUMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) BTN99x0LV Typ P, Typ N-Kanal 2, SMD MOSFET 40 V Doppelt / 115 A, 7-Pin

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Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	115A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PG HSOF-7
	Serie	BTN99x0LV
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.6mΩ
	Channel-Modus	Doppelt
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Transistor-Konfiguration	Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X)
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	AEC-Q100/Q006 (Grade 1)
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q006, AEC-Q100

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PG HSOF-7
	Serie BTN99x0LV
	Montageart SMD
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.6mΩ
	Channel-Modus Doppelt
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Transistor-Konfiguration Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X)
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen AEC-Q100/Q006 (Grade 1)
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q006, AEC-Q100

Datasheet - BTN9990LVAUMA1

MOSFET der Serie BTN99x0LV von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung von 40 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 115 A – BTN9990LVAUMA1

Dieser MOSFET ist ein Zweikanal-Transistor, der für Schalt- und Brückenkonfigurationen in Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er unterstützt sowohl Halbbrücken- als auch Vollbrücken-Anordnungen und wird in einem PG-HSOF-7-Gehäuse geliefert, das für Module geeignet ist, die kompakte Zwei-Element-Stromversorgungsgeräte benötigen. Das Gerät ist für den Betrieb über einen erweiterten Temperaturbereich ausgelegt und entspricht den Normen der Automobilindustrie für den Einsatz in Fahrzeugsystemen.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ableiterspannung von 40 V für gängige Kfz-Systemspannungen
• 115 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltungen
• 9,6 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Gate-Toleranz ±20 V zum Schutz von Gate-Schaltkreisen
• Zweifache N- und P-Kanalanordnung, die komplementäre Stufen ermöglicht
• Maximale Betriebstemperatur von 150 °C für den thermischen Kopfraum

Anwendungsbereich

• Geeignet für Halb- und Vollbrücken-Leistungsstufen in Fahrzeugen
• Ideal für Wechselrichterstufen mit Gleichstromantrieb in Kfz-Systemen
• Verwendung mit komplementären P- und N-Kanalkonfigurationen in H-Brücken
• Kann für Hochstromschaltungen im Batteriemanagement verwendet werden
• Wird für Leistungsstufen verwendet, die Komponenten in Automobilqualität erfordern

Welche extremen Temperaturen kann dieses Gerät im Betrieb tolerieren?

Es kann bis zu -40 °C und bis zu 150 °C betrieben werden.

Wie viele Transistorelemente sind auf jedem Chip vorhanden?

Jeder Chip enthält zwei Elemente, die als Zweikanalgerät angeordnet sind.

Welches Gehäuse wird für die Leiterplattenmontage und die Wärmeleitung verwendet?

Die Komponente wird in einem PG HSOF-7-Gehäuse geliefert.

Welche Qualifikationsstufen für die Automobilindustrie erfüllt er?

Er erfüllt die Zulassungen AEC-Q100 und AEC-Q006 für die Automobilindustrie.

Welche Kanaltypen sind für komplementäre Schalttopologien integriert?

Das Gerät umfasst sowohl N-Kanal- als auch P-Kanal-Typen.