Infineon Doppelt IRF7343PbF Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 55 V Entleerung / 4.7 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
171-1915
Herst. Teile-Nr.:
IRF7343TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

IRF7343PbF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

0.96V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Der Infineon IRF7343 ist der zweifache N- und P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit 55 V in einem SO-8-Gehäuse.

RoHS-kompatibel

Niedriger RDS (EIN)

Dynamische dv/dt-Bewertung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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