DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 0.38 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 246-7498
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UDWQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
€ 4,55
(ohne MwSt.)
€ 5,45
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 2 825 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,182 | € 4,55 |
| 50 - 75 | € 0,18 | € 4,50 |
| 100 - 225 | € 0,132 | € 3,30 |
| 250 - 975 | € 0,129 | € 3,23 |
| 1000 + | € 0,125 | € 3,13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7498
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UDWQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±6 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.38W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±6 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.38W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex ist ein ergänzender Paar-Verbesserungs-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT363-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 0.38 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Typ N Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.14 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Typ N-Kanal 2 6-Pin US
- DiodesZetex Typ P Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.14 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Doppelt Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMC3401 Typ N Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.4 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Typ N Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ N Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 1.6 W, 8-Pin SOIC
