Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
249-8631
Herst. Teile-Nr.:
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

IAUC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 60 V, N-Ch, 5 MOhm, Kfz-MOSFET mit OptiMOS 5-Technologie für 60-V-MOSFETs im kleinen S3O8-Gehäuse mit 3 x 3 mm, mit führender Leistung, die niedrige RDSon-, QG- und Gate-Kapazität bietet und die Leitungs- und Schaltverluste minimiert.

OptiMOS Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

N-Kanal, Erweiterungsmodus, Logikpegel

Erweiterte Qualifikation über AEC-Q101 hinaus

Verbesserte elektrische Prüfung

Robuste Konstruktion

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS konform)

100-prozentige Lawinenprüfung

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