Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 80 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom-Oberflächenmontageanwendungen in rauen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät und eignet sich für thermische und elektrische Anwendungen, bei denen erhöhte Temperaturen und eine robuste Strombelastbarkeit erforderlich sind. Die Komponente ist RoHS-zertifiziert und entspricht den Qualifizierungsstandards der Automobilindustrie für den Einsatz in anspruchsvollen Fahrzeugelektronikbereichen.

• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 80 A ermöglicht eine hohe Strombelastbarkeit
• Sehr niedriger RDS(on) von 1,4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 81 W unterstützt schwere Schaltlasten
• Gate-Ladung Qg 80 nC ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Maximal-VDS 20 V ermöglicht die Integration von Niederspannungsanlagen

• Geeignet für DC/DC-Wandlerstufen in Automobilsystemen
• Wird mit Power-Management-Modulen in elektrifizierten Fahrzeugen verwendet
• Ideal für Motorantriebs-MOSFET-Stufen in Hilfssystemen
• Kann zum Schutz der Batterien und zur Stromverteilung verwendet werden

Erwarten Sie eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 80 nC, daher müssen Gate-Treiber ausreichend Strom liefern und ableiten, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig die Schaltverluste zu bewältigen.

Das Gerät unterstützt den Betrieb von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht die Platzierung in der Nähe von wärmeerzeugenden Komponenten und unter Umgebungsbedingungen im Motorraum.

Er wird in einem oberflächenmontierten SuperSO8 5x6-Gehäuse mit acht Stiften geliefert, das eine Leiterplatten-Abmessung und ein Wärmemanagement erfordert, die mit diesem Gehäusetyp übereinstimmt.

Das Gerät hat eine maximale Gate-to-Source-Spannung von 20 V und eine maximale Drain-to-Source-Spannung von 20 V, sodass die Systemspannungen innerhalb dieser Grenzen bleiben müssen.