Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 60 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
243-9313
Herst. Teile-Nr.:
IAUC60N04S6N044ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

IAUC

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET für Automobilanwendungen, N-Kanal-Enhancement-Mode-Logic-Level und AEC Q101-qualifiziert.

N-Kanal

100 % Avalanche-getestet

AEC Q101 qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Produkt (RoHS-konform)

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