Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 60 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 243-9313
Herst. Teile-Nr.:: IAUC60N04S6N044ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 60 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 243-9313
Herst. Teile-Nr.:: IAUC60N04S6N044ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	60A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Serie	IAUC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Serie IAUC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC60N04S6N044ATMA1

MOSFET der Serie IAUC von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUC60N04S6N044ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für Hochstromschaltungen in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für die oberflächenmontierte Integration vorgesehen, bei der eine robuste Handhabung von Ablassquellen und Gate-Steuerung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 1,4 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 60 A unterstützt schwere Lasten
• Die Drain-Source-Spannung von 20 V ermöglicht den Einsatz in Niederspannungsanlagen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• Gate-Ladung 80 nC sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Source-Nennspannung von 20 V ermöglicht große Antriebsbereiche

Anwendungsbereich

• Verwendet für Gleichstrommotortreiber in Kfz-Systemen
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilung
• Ideal für das Schalten von Hochstromlasten an Steuermodulen
• Kann für die Stromumwandlung in der Fahrzeugelektronik verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagementsystemen in rauen Umgebungen

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für eine Vielzahl von Umgebungs- und Temperaturbedingungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?

Er wird in einem SuperSO8 5x6-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.

Wie wirkt sich sein gesetzlicher Status auf die Auswahl für die Produktion aus?

Er entspricht den RoHS-Richtlinien, was bedeutet, dass die Verwendung eingeschränkter Stoffe den gängigen Fertigungsanforderungen entspricht.

Welche Kfz-Qualifizierung gilt für dieses Gerät für die Fahrzeugelektronik?

Er erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie und eignet sich somit für die Spezifikationen von Automobilkomponenten.