Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 249-6892
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 2,69
(ohne MwSt.)
€ 3,228
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 3 964 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,345 | € 2,69 |
| 20 - 48 | € 1,13 | € 2,26 |
| 50 - 98 | € 1,05 | € 2,10 |
| 100 - 198 | € 0,985 | € 1,97 |
| 200 + | € 0,905 | € 1,81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6892
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.
175 °C Betriebstemperatur
Verwandte Links
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOSTM Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke IAUC60N04S6N050H Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 60 A 52 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke IAUC45N04S6L063H Typ N-Kanal MOSFET 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC072N04LD Typ N-Kanal 2 MOSFET 40 V / 20 A 65 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6