Infineon Halbbrücke IAUC45N04S6L063H Typ N-Kanal MOSFET 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
249-6884
Herst. Teile-Nr.:
IAUC45N04S6L063HATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC45N04S6L063H

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC Q101, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.

175 °C Betriebstemperatur

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