Infineon BSC072N04LD Typ N-Kanal 2 MOSFET 40 V / 20 A 65 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9694
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC072N04LDATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
€ 3.425,00
(ohne MwSt.)
€ 4.110,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | € 0,685 | € 3.425,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9694
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC072N04LDATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC072N04LD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.2mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC072N04LD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor Infineon OptiMOS T2 ist ein Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit überlegenem Wärmewiderstand. Er ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.
Schnelle Schalt-MOSFETs für SMPS,
optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung
Verwandte Links
- Infineon BSC072N04LD Typ N-Kanal 2 MOSFET 40 V / 20 A 65 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IPG20N06S4L-14A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 50 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke IAUC45N04S6L063H Typ N-Kanal MOSFET 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon ISC Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
