Infineon Halbbrücke OptiMOSTM Typ N-Kanal Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 45 A 41 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
249-6887
Herst. Teile-Nr.:
IAUC45N04S6N070HATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOSTM

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.

175 °C Betriebstemperatur

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