DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 1.6 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 9,85

(ohne MwSt.)

€ 11,82

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 340 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 0,985€ 9,85
50 - 90€ 0,963€ 9,63
100 - 240€ 0,765€ 7,65
250 - 990€ 0,747€ 7,47
1000 +€ 0,678€ 6,78

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7504
Herst. Teile-Nr.:
DMHC6070LSD-13
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 60 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand

Verwandte Links