DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 160 mA 1.73 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
246-6844
Herst. Teile-Nr.:
DMP65H20D0HSS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

4.9mm

Höhe

1.45mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.85 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 600 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±30 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.

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