DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 79 A 1.73 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
246-7536
Herst. Teile-Nr.:
DMPH4011SK3-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

79A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.58mm

Breite

6.1 mm

Höhe

2.29mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen zweifachen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TO252-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Sie ist für +175 °C ausgelegt und ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen geeignet. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit

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