Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET 950 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 244-2273
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-2273
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die CoolMOS™ P7-MOSFETs von Infineon Technologies bieten das beste Preis-Leistungs-Verhältnis ihrer Klasse und eine hervorragende Benutzerfreundlichkeit, um die Herausforderungen in verschiedenen Anwendungen zu meistern. Die P7-MOSFETs sind vollständig für Hard- und Soft-Switching-Topologien optimiert.
Klassenbester FOM RDS(on)*(Eoss) durch Coss(Ausgangskapazität) abgeleitete Energie; Reduzierte Gate-Kapazität (Qg), Eingangskapazität und Ausgangskapazität
Klassenbester SOT-223 RDS(on)
Klassenbeste V( GS)th von 3V und kleinste V(GS)th-Schwankung von ±0,5 V
Integrierter Zenerdioden-ESD-Schutz
Klassenbeste Cool MOS™-Qualität und -Zuverlässigkeit
Vollständig optimiertes Portfolio
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