Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 363,00

(ohne MwSt.)

€ 435,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 03. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 3000€ 0,121€ 363,00
6000 - 6000€ 0,115€ 345,00
9000 +€ 0,112€ 336,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-2262
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R2K0CEATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

IPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die CoolMOS™ CE Power MOSFETs von Infineon sind eine Technologieplattform für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurden und die Anforderungen der Verbraucher erfüllen sollen.

Äußerst geringe Verluste aufgrund der sehr niedrigen FOM Rdson Qg und Eoss.

Sehr hohe Pendelhärte.

Einfach zu bedienen/fahren.

Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse.

Qualifiziert für Standardanwendungen.

Verwandte Links