Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
244-2263
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R2K0CEATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

IPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die CoolMOS™ CE Power MOSFETs von Infineon sind eine Technologieplattform für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurden und die Anforderungen der Verbraucher erfüllen sollen.

Äußerst geringe Verluste aufgrund der sehr niedrigen FOM Rdson Qg und Eoss.

Sehr hohe Pendelhärte.

Einfach zu bedienen/fahren.

Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse.

Qualifiziert für Standardanwendungen.

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