Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 6 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
244-2270
Herst. Teile-Nr.:
IPN60R600PFD7SATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPN

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen, das auf ultrahohe Leistungsdichte und höchste Effizienz zugeschnitten ist.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM RDS(on)*Qg und RDS(on)*Eoss

Niedrige Schaltverluste Eoss, ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Schnelle Body-Diode

Breites Portfolio an RDS(on) und Gehäusevarianten

Ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte und kleinen Formfaktoren

Ermöglicht Effizienzgewinne bei höheren Schaltfrequenzen

Ausgezeichnete Kommutierungsrobustheit

Einfache Auswahl der richtigen Bauteile und Optimierung des Designs

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