Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 217-2548
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R450P7SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R450P7SATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | IPN | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie IPN | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7 mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS TM P7 Superjunction (SJ) MOSFET wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht CoolMOS TM P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen.
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMR DS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
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