DiodesZetex DMTH10H032LPDWQ Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V / 24 A 37 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 244-1935
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H032LPDWQ-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- DMTH10H032LPDWQ-13
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- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Serie | DMTH10H032LPDWQ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Serie DMTH10H032LPDWQ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von DiodesZetex ist für die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen ausgelegt. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in Gleichspannungswandlern und Motoren.
100 % ungeklemmtes induktives Schalten sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung
Niedrige Eingangskapazität
Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion
Zusätzliche Zinnplattierung auf den Seitenwandpads für optische Lötinspektion
Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform
Halogen- und antimonfreies grünes Gerät
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