DiodesZetex DMTH10H032LPDWQ Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V / 24 A 37 W, 8-Pin PowerDI5060-8

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RS Best.-Nr.:
244-1935
Herst. Teile-Nr.:
DMTH10H032LPDWQ-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DMTH10H032LPDWQ

Gehäusegröße

PowerDI5060-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von DiodesZetex ist für die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen ausgelegt. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in Gleichspannungswandlern und Motoren.

100 % ungeklemmtes induktives Schalten sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung

Niedrige Eingangskapazität

Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion

Zusätzliche Zinnplattierung auf den Seitenwandpads für optische Lötinspektion

Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform

Halogen- und antimonfreies grünes Gerät

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