Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 3,49

(ohne MwSt.)

€ 4,19

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 443 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9€ 3,49
10 - 24€ 3,31
25 - 49€ 3,17
50 - 99€ 3,04
100 +€ 2,83

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-0946
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R280P7ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 180 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD80R280P7ATMA1


Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und verfügt über eine Eigendiode mit definierter Durchlassspannung, wodurch er sich für Automobil- und industrielle Leistungsstufen eignet.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Ablass-Quellenspannung von 40 V ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungssystemen
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 1.2 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 80 nC Gate-Ladung für schnelle Schaltleistung
• Vgs 20 V maximale Gate-Bewertung zum Schutz des Gate-Drive-Designs

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Wird für Motorantriebsstufen in elektrischen Systemen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten im Energiemanagement verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-SMD-Baugruppen auf Platinen

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und bietet einen breiten Temperaturbereich für raue Umgebungen.

Wie verhält sich die intrinsische Diode elektrisch?


Die Body-Diode weist eine Durchlassspannung von 0,9 V auf, die den Stromkreislauf und den Leitungsverlust während der Rückleitung beeinflusst.

Welche Verpackungs- und Montageaspekte gelten für die Leiterplattenkonstruktion?


Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und ein geeignetes Lötpad-Design und Wärmemanagement auf der Leiterplatte erfordert.

Ist es für Projekte in Automobilqualität geeignet, was die Qualifizierung betrifft?


Er erfüllt den AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie für die Eignung für Anwendungen in der Automobilelektronik.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.