Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 244-0945
Herst. Teile-Nr.:: IPD80R280P7ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 244-0945
Herst. Teile-Nr.:: IPD80R280P7ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.2mΩ
	Channel-Modus	N
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ
	Channel-Modus N
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD80R280P7ATMA1

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 180 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD80R280P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und verfügt über eine Eigendiode mit definierter Durchlassspannung, wodurch er sich für Automobil- und industrielle Leistungsstufen eignet.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ablass-Quellenspannung von 40 V ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungssystemen
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 1.2 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 80 nC Gate-Ladung für schnelle Schaltleistung
• Vgs 20 V maximale Gate-Bewertung zum Schutz des Gate-Drive-Designs

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Wird für Motorantriebsstufen in elektrischen Systemen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten im Energiemanagement verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-SMD-Baugruppen auf Platinen

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und bietet einen breiten Temperaturbereich für raue Umgebungen.

Wie verhält sich die intrinsische Diode elektrisch?

Die Body-Diode weist eine Durchlassspannung von 0,9 V auf, die den Stromkreislauf und den Leitungsverlust während der Rückleitung beeinflusst.

Welche Verpackungs- und Montageaspekte gelten für die Leiterplattenkonstruktion?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist und ein geeignetes Lötpad-Design und Wärmemanagement auf der Leiterplatte erfordert.

Ist es für Projekte in Automobilqualität geeignet, was die Qualifizierung betrifft?

Er erfüllt den AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie für die Eignung für Anwendungen in der Automobilelektronik.