Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 244-0881
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R750P7ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 244-0881
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R750P7ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD95R750P7ATMA1

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 180 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD95R750P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde und über einen breiten Temperaturbereich arbeitet, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist. Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im TO-252-Format, das für Anwendungen vorgesehen ist, bei denen eine robuste Gate-Ansteuerung und ein hoher kontinuierlicher Ablassstrom erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 100 V Drain-Festigkeit unterstützt Hochspannungsschaltung
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht die Handhabung schwerer Lasten
• 0,7 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 81 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsabgabe
• Die Gate-Ladung von 80 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsanforderungen
• Die Gate-Bewertung von 20 V bietet Platz für gängige Gate-Antriebe

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Motorantriebsstufen in elektrifizierten Systemen
• Wird mit DC/DC-Wandlern in Hochstromversorgungen verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verwaltung der Batterien verwendet werden
• Geeignet für Hochleistungs-Schaltfunktionen in industriellen Wechselrichtern

In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C bei längeren Betriebsbedingungen ausgelegt.

Wie wirkt sich die Pin-Konfiguration auf die Montage aus?

Die Drei-Pin-Anordnung in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage ermöglicht kompakte Leiterplatten-Layouts und eine effiziente Wärmeleitung zur Leiterplatte.

Welches Material oder welche Zulassung zeigt die Konformität mit eingeschränkten Stoffen an?

Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe in elektronischen Baugruppen.

Ist das Gerät für Qualifizierungskriterien im Automobilbereich geeignet?

Er entspricht den AEC-Q101-Normen, die für diskrete Halbleiter für den Einsatz im Automobilbereich gelten.