Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
244-0883
Herst. Teile-Nr.:
IPD95R750P7ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-950-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe bei 950-V-Super-Junction-Technologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit, das Ergebnis von Infineons über 18-jähriger bahnbrechender Innovation in der Super-Junction-Technologie.

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