Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11 A DFN2020

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET IRL100HS121 von Infineon ist in drei verschiedenen Spannungsklassen (60 V, 80 V und 100 V) erhältlich. Die neuen Logikpegel-Leistungs-MOSFETs von Infineon eignen sich hervorragend für drahtlose Lade-, Telekommunikations- und Adapteranwendungen. Das PQFN 2x2-Gehäuse ist besonders geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und formfaktorkritische Anwendungen. Es ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen verbesserten Wirkungsgrad sowie eine erhebliche Platzersparnis.

Niedrigster FOM (R DS(on) x Q g/gd)
Optimierte Q g, C oss und Q rr für schnelles Schalten
Logikpegel-Kompatibilität
Kleines PQFN-2 x 2-mm-Gehäuse
Designs mit höherer Leistungsdichte
Höhere Schaltfrequenz
Verwendet OptiMOSTM5-Chip
Reduzierte Teilenzahl, wo immer 5-V-Versorgungen verfügbar sind
Ansteuerung direkt von Mikrocontrollern (langsames schalten)
Systemkostenreduzierung