Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 242-5818
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB048N15N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 2.666,00
(ohne MwSt.)
€ 3.199,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 000 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 2,666 | € 2.666,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 242-5818
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB048N15N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der iPB-Serie von Infineon, 100 V Drain-Source-Spannung, 273 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB048N15N5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und thermische Widerstandsfähigkeit erforderlich sind. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen mit Stromumwandlung und Motorantrieb vorgesehen. Er bietet eine kompakte Lösung in einem TO-263-Gehäuse für platinenmontierte Baugruppen.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 1,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 273 A unterstützt schwere Stromlasten
• Maximum Vds 100 V ermöglicht eine robuste Spannungsabweichung in Schaltstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung in engen Umgebungen
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsanforderungen
• Die Gate-Source-Bewertung von 20 V ermöglicht einen erheblichen Antriebsbereich für die Steuerung
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 273 A unterstützt schwere Stromlasten
• Maximum Vds 100 V ermöglicht eine robuste Spannungsabweichung in Schaltstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung in engen Umgebungen
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC sorgt für Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsanforderungen
• Die Gate-Source-Bewertung von 20 V ermöglicht einen erheblichen Antriebsbereich für die Steuerung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Leistungsumwandlungsstufen in industriellen Wechselrichtern
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebsschaltkreise auf Leiterplatten
• Wird mit Synchrongleichrichter-Topologien in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagementsysteme verwendet werden, die hohe Stromstärken erfordern
• Empfohlen für kompakte, platinenmontierte Schaltmodule, die oberflächenmontierte Komponenten erfordern
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebsschaltkreise auf Leiterplatten
• Wird mit Synchrongleichrichter-Topologien in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagementsysteme verwendet werden, die hohe Stromstärken erfordern
• Empfohlen für kompakte, platinenmontierte Schaltmodule, die oberflächenmontierte Komponenten erfordern
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische Leistung aus?
Das oberflächenmontierbare TO-263-Gehäuse bietet einen Pfad mit geringem Wärmewiderstand zur Leiterplatte für eine effektive Wärmeableitung im Hochleistungsbetrieb.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?
Das Gerät nimmt bis zu 20 V am Gate im Verhältnis zur Quelle auf und hat eine typische Gate-Gesamtladung von 80 nC, sodass die Treiberfähigkeit mit der Schaltfrequenz und den gewünschten Übergangszeiten übereinstimmen muss.
Ist er für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es ist nicht als Kfz-Gerät spezifiziert und sollte daher nicht als konform mit Kfz-spezifischen Normen angesehen werden.