Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 192 A 81 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
242-0991
Herst. Teile-Nr.:
IRF100S201
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPA

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon hat einen maximalen Ablassstrom von 192 A. Die Betriebstemperatur des Leistungs-MOSFETs beträgt -55 °C bis 175 °C. Es ist ideal für Niedrigfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit von Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Gehäuse für Oberflächenmontage nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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