Infineon IRF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 192 A 81 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
244-2930
Herst. Teile-Nr.:
IRF300P227
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IRF

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon IRF300P227-Qualifizierungsbericht beschreibt die Eigenschaften des Produkts in Bezug auf Qualität und Zuverlässigkeit. Die Auswahl der Qualifikationsprobe wurde auf Produktionslosen durchgeführt, die nach Standard-Fertigungsprozessen hergestellt und getestet wurden und die definierten Anforderungen erfüllen. Die in diesem Dokument beschriebenen Qualifikationsprüfergebnisse dieser Produkte basieren auf JEDEC für Zielanwendungen und können auf vorhandene Qualifikationsergebnisse ähnlicher Produkte verweisen. Diese Referenzierung wird durch die strukturelle Ähnlichkeit der Produkte gerechtfertigt.

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dv/dt und di/dt-Fähigkeit

Bleifrei

RoHS-kompatibel

Halogenfrei

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