Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
242-0983
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R180P7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon ist in der Form von TO-220-3. Der maximale kontinuierliche Ablassstrom beträgt 18 A und die Ablassquellenspannung beträgt 600 V. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 175 °C.

Durchgangsbohrungs-Montagetechnologie,

26 W Verlustleistung,

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC),

Hervorragende Kommutierungs-Robustheit

Erhebliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten.

Ausgezeichnete ESD-Robustheit

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