Infineon IPA N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 242-0984
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R180P7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IPA60R180P7XKSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon ist in der Form von TO-220-3. Der maximale kontinuierliche Ablassstrom beträgt 18 A und die Ablassquellenspannung beträgt 600 V. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 175 °C.
Durchgangsbohrungs-Montagetechnologie,
26 W Verlustleistung,
Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC),
Hervorragende Kommutierungs-Robustheit
Erhebliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten.
Ausgezeichnete ESD-Robustheit