Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 253 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 242-0306
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 253A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IQE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.73V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 253A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IQE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.73V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 5 von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET mit bleifreier Bleibeschichtung und RoHS-konform. Es wurde zu 100 % Avalanche geprüft.
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen
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