Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 241-9969
Herst. Teile-Nr.:: BSC034N10LS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC034N10LS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	BSC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie BSC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC034N10LS5ATMA1

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC034N10LS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Gerät, das für die Leistungsschaltung und -umwandlung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und eignet sich für Umgebungen, die eine robuste thermische Toleranz und geringe Leitungsverluste erfordern. Die Komponente wird in einem TDSON-Gehäuse für platinenmontierte Leistungsstufen geliefert und ist RoHS-konform.

Merkmale und Vorteile:

• Nennleistung von 40 V für Mittelspannungsstufen
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromversorgung
• 0,7 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 81 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Leistung
• 80 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 20 V für flexible Antriebsmargen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltreglern
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
• Kann für Server-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Energieverwaltungsbaugruppen

Welchen Umgebungstemperaturen kann er im Betrieb standhalten?

Es arbeitet von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit breitem Temperaturbereich.

Wie trägt das Gerät zur Reduzierung der Wärme in dichten Stromversorgungssystemen bei?

Der niedrige Drain-Source-Widerstand minimiert I2R-Verluste und reduziert die Wärmeentwicklung während der Leitung.

Welche Befestigungsmethode ist für die Platinenmontage erforderlich?

Er ist für die Oberflächenmontage in einem TDSON-Gehäuse vorgesehen, um kompakte Leistungslayouts zu ermöglichen.

Wie groß ist der typische Durchlassspannungsabfall bei Leitfähigkeit?

Die Durchlassspannung ist für Bedingungen, bei denen Vgs und Id eine Durchlassleitung erzeugen, auf 1,1 V angegeben.