Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 241-9966
Herst. Teile-Nr.:: BSC025N08LS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC025N08LS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	BSC0
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie BSC0
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC025N08LS5ATMA1

Infineon BSC0 Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC025N08LS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er unterstützt Niederspannungs- und Hochstromanwendungen und ist für Implementierungen vorgesehen, bei denen ein kompaktes TDSON-Gehäuse und breite Betriebstemperaturen erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand ermöglicht geringere Leitungsverluste
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungsstufen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhöhte Leistungsaufnahme
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Der Bereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet den Betrieb bei extremen Temperaturbedingungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerkonstruktionen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorsteuerungsstufen verwendet, die einen Vorwärtsabfall von 1,2 V erfordern
• Kann in Server-Stromverteilungsmodulen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungen auf kompakten Leiterplatten

Welche Montageart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?

Er wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenpads ausgelegt ist.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten während des Betriebs eingehalten werden?

Das Gate darf 20 V in Bezug auf die Quelle nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu verhindern.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitfähigkeit bei hohen Strömen aus?

Die typische Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was zur Überlappungsheizung bei hoher Belastung beiträgt und im thermischen Design berücksichtigt werden sollte.

Welche Zulassungen und Umweltaspekte gelten?

Er entspricht den RoHS-Anforderungen zur Beschränkung gefährlicher Stoffe in der Komponente.

Welche Kanalcharakteristiken definieren die Schaltpolarität?

Es verwendet einen N-Typ-Leitungskanal, der für Low-Side-Schaltvorgänge und gängige Hochstromtopologien geeignet ist.