Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9683
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ075N08NS5ATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-MOSFET hat 80 V Ablassquellenspannung (VDS) und 73 A Ablassstrom (ID). Er bietet eine Reduzierung der RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen, Regler usw. geeignet. Es wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus kann er auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solarenergie, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.
Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler,
Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM),
sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on),
100 % Avalanche geprüft,
N-Kanal, Normalpegel,
qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,
bleifreie Leiterbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21,
höhere Zuverlässigkeit von Lötverbindungen durch erweiterte Quellenverbindung