Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 415 A 120 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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RS Best.-Nr.:
239-8614
Herst. Teile-Nr.:
SiDR220EP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

415A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00082Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

5.15 mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei Temperaturen von 25 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte, synchrone Abwärtswandler und Lastschaltung verwendet.

Die obere Kühlfunktion bietet zusätzlichen Platz für thermische Übertragung

Geringer Leistungsverlust

UIS-geprüft

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