Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 218 A 120 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 8,15

(ohne MwSt.)

€ 9,78

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 4,075€ 8,15
20 - 98€ 3,83€ 7,66
100 - 198€ 3,46€ 6,92
200 - 498€ 3,265€ 6,53
500 +€ 3,06€ 6,12

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
239-8617
Herst. Teile-Nr.:
SiDR626LEP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

218A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0021Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.1nC

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei 60 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für Solar-Mikro-Wechselrichter, Motorantriebsschalter und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Die obere Kühlfunktion bietet zusätzlichen Platz für Wärmeübertragung

Sehr niedriger Widerstand

UIS geprüft

Verwandte Links