Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 415 A 120 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 3,25

(ohne MwSt.)

€ 3,90

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4 022 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 1,625€ 3,25
20 - 98€ 1,585€ 3,17
100 - 198€ 1,54€ 3,08
200 - 498€ 1,50€ 3,00
500 +€ 1,465€ 2,93

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
239-8615
Herst. Teile-Nr.:
SiDR220EP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

415A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00082Ω

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.1nC

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET® ist ein N-Kanal-MOSFET der Gen IV-Leistung, der bei Temperaturen von 25 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte, synchrone Abwärtswandler und Lastschaltung verwendet.

Die obere Kühlfunktion bietet zusätzlichen Platz für thermische Übertragung

Geringer Leistungsverlust

UIS-geprüft

Verwandte Links