Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 41 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
235-4851
Herst. Teile-Nr.:
IPB720P15LMATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs mit 100 V im D2PAK-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.

Erhältlich in 4 verschiedenen Gehäusen

Großer Bereich

Normale Pegel- und Logikpegel-Verfügbarkeit

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Einfache Schnittstelle zur MCU

Geringe Designkomplexität

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